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型号

规格书

DRAM类型

容量

架构

速率

工作电压

工作温度

产品详情

K4A8G165WC-BCTD

K4A8G165WC-BCTD

DRAM DDR4

SAMSUNG/三星

8Gb

512Mx16

2666Mbps

1.2V

0°C~85°C

FBGA-96

Mass Production

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K4A8G165WB-BCRC

K4A8G165WB-BCRC

DRAM DDR4

SAMSUNG/三星

8Gb

512Mx16

2400Mbps

1.2V

0°C~85°C

FBGA-96

Mass Production

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M378A1G44BB0-CWE

M378A1G44BB0-CWE

DRAM DDR4

SAMSUNG/三星

8Gb

3200Mbps

1.2V

BGA-260

Mass Production

UDIMM

1R x 16

(1G x 16) x 4

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MZVLB1T0HBLR-00000

MZVLB1T0HBLR-00000

SSD

SAMSUNG/三星

1TB

Mass Production

PCIe Gen3 x4

PM981a

3500 MB/s

3000 MB/s

580K IOPS

500K IOPS

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M471A2K43EB1-CTD

M471A2K43EB1-CTD

DRAM DDR4

SAMSUNG/三星

16GB

2666Mbps

1.2V

BGA-260

EOL

SODIMM

2R x 8

(1G x 8) x 16

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M393A2K40DB3-CWE

M393A2K40DB3-CWE

DRAM DDR4

SAMSUNG/三星

16GB

3200Mbps

1.2V

BGA-288

Mass Production

RDIMM

1R x 4

(2G x 4) x 18

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M378A2K43EB1-CWE

M378A2K43EB1-CWE

DRAM DDR4

SAMSUNG/三星

16GB

3200Mbps

1.2V

BGA-288

Mass Production

UDIMM

2R x 8

(1G x 8) x 16

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K9F5608U0D

K9F5608U0D

FLASH

SAMSUNG/三星

32M

x8

2.7V~3.6V

-10°C~125°C

FBGA-63

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K4UBE3D4AA-MGCR

K4UBE3D4AA-MGCR

DRAM LPDDR4X

SAMSUNG/三星

32Gb

x32

4266Mbps

1.8/1.1/0.6V

-25°C~85°C

FBGA-200

Sample

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K4U6E3S4AA-MGCL

K4U6E3S4AA-MGCL

DRAM LPDDR4X

SAMSUNG/三星

16Gb

x32

4266Mbps

1.8/1.1/0.6V

-25°C~85°C

FBGA-200

Mass Production

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K3UH7H70AM-JGCR

K3UH7H70AM-JGCR

DRAM LPDDR4X

SAMSUNG/三星

64Gb

x64

4266Mbps

1.8/1.1/0.6V

-25°C~85°C

FBGA-432

Sample

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K4U8E3S4AD-GFCL

K4U8E3S4AD-GFCL

DRAM LPDDR4X

SAMSUNG/三星

8Gb

x32

4266Mbps

1.8/1.1/0.6V

-40°C~95°C

FBGA-200

Mass Production

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K4FBE3D4HM-MGCJ

K4FBE3D4HM-MGCJ

DRAM DDR4

SAMSUNG/三星

32Gb

x32

3733Mbps

1.8/1.1/1.1V

-25°C~85°C

FBGA-200

Mass Production

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K4F8E3S4HD-GFCL

K4F8E3S4HD-GFCL

DRAM DDR4

SAMSUNG/三星

8Gb

x32

4266Mbps

1.8/1.1/1.1V

-40°C~95°C

FBGA-200

Mass Production

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K4F6E3S4HM-MGCJ

K4F6E3S4HM-MGCJ

DRAM DDR4

SAMSUNG/三星

16Gb

x32

3733Mbps

1.8/1.1/1.1V

-25°C~85°C

FBGA-200

Mass Production

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K3UH7H70MM-NGCJ

K3UH7H70MM-NGCJ

DRAM LPDDR4X

SAMSUNG/三星

64 GB

x64

3733Mbps

1.8/1.1/0.6V

-25°C~85°C

FBGA-366

Mass Production

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K4EBE304ED-EGCG

K4EBE304ED-EGCG

DRAM LPDDR3

SAMSUNG/三星

32Gb

x32

2133Mbps

1.8/1.2/1.2V

-25°C~85°C

FBGA-178

EOL

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K4EBE304EC-EGCG

K4EBE304EC-EGCG

DRAM LPDDR3

SAMSUNG/三星

32Gb

x32

2133Mbps

1.8/1.2/1.2V

-25°C~85°C

FBGA-178

EOL

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K4E8E324ED-EGCG

K4E8E324ED-EGCG

DRAM LPDDR3

SAMSUNG/三星

8Gb

x32

2133Mbps

1.8/1.2/1.2V

-25°C~85°C

FBGA-178

EOL

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K4E6E304EC-AGCF

K4E6E304EC-AGCF

DRAM LPDDR3

SAMSUNG/三星

16Gb

x32

1866Mbps

1.8/1.2/1.2V

-25°C~85°C

FBGA-168

Mass Production

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