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型号

规格书

DRAM类型

容量

架构

速率

工作电压

工作温度

产品详情

KLM4G1FETE-B041

KLM4G1FETE-B041

eMMC

SAMSUNG/三星

4GB

1.8~3.3V

-25°C~85°C

FBGA-153

Mass Production

11mm x 10mm x 0.8mm

5.1

HS400

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K4UBE3D4AB-MGCL

K4UBE3D4AB-MGCL

DRAM LPDDR4X

SAMSUNG/三星

32Gb

x32

4266Mbps

1.8/1.1/0.6V

-25°C~85°C

FBGA-200

Mass Production

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KLMAG1JETD-B041

KLMAG1JETD-B041

eMMC

SAMSUNG/三星

16GB

1.8~3.3V

-25°C~85°C

FBGA-153

Mass Production

1120/TRAY

11.5mm*13mm*0.8mm

5.1

HS400

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KLUDG4U1EA-B0C1

KLUDG4U1EA-B0C1

UFS

SAMSUNG/三星

128GB

1.8/3.3V

-25°C~85°C

BGA-153

EOL

11.5mm x13mm x1.0mm

2.1

G3 2Lane

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KLM8G1GETF-B041

KLM8G1GETF-B041

eMMC

SAMSUNG/三星

8GB

1.8~3.3V

-25°C~85°C

FBGA-153

Mass Production

1120/TRAY

5.1

HS400

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K3LKCKC0BM-MGCP

K3LKCKC0BM-MGCP

LPDDR5

SAMSUNG/三星

64 Gb

x32

6400 Mbps

1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V

-25 ~ 85 °C

315 FBGA

Mass Production

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K3LKBKB0BM-MGCP

K3LKBKB0BM-MGCP

LPDDR5

SAMSUNG/三星

32 Gb

x32

6400 Mbps

1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V

-25 ~ 85 °C

315 FBGA

Mass Production

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K3KLALA0DM-MFCU

K3KLALA0DM-MFCU

LPDDR5X

SAMSUNG/三星

128 Gb

x32

8533 Mbps

1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V

-40 ~ 95 °C

315 FBGA

Sample

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KHBBC4B03B-MC1JT00

KHBBC4B03B-MC1JT00

HBM

SAMSUNG/三星

36GB

HBM3E-8.0Gbps

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KHBB84A03B-MC1JT00

KHBB84A03B-MC1JT00

HBM

SAMSUNG/三星

24GB

HBM3E-8.0Gbps

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KHBAC4A03D-MC1HT00

KHBAC4A03D-MC1HT00

HBM

SAMSUNG/三星

24Gb

HBM3-6.4Gbps

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KHBA84A03D-MC1HT00

KHBA84A03D-MC1HT00

HBM

SAMSUNG/三星

16Gb

HBM3-6.4Gbps

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KHAA84901B-JC17T00

KHAA84901B-JC17T00

HBM

SAMSUNG/三星

16Gb

HBM2E-3.6Gbps

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KHA884901X-MC13TNX

KHA884901X-MC13TNX

HBM

SAMSUNG/三星

8Gb

HBM2-2.4Gbps

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KHA884901X-MC12TIF

KHA884901X-MC12TIF

HBM

SAMSUNG/三星

8Gb

HBM2-2.0Gbps

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K3QF3F30BM-AGCF

K3QF3F30BM-AGCF

LPDDR3

SAMSUNG/三星

16 Gb

x64

1866 Mbps

1.8 / 1.2 / 1.2 V

-25 ~ 85 °C

253 FBGA

EOL

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K3UH5H50MM-NGCJ

K3UH5H50MM-NGCJ

LPDDR4X

SAMSUNG/三星

32Gb

x64

3733 Mbps

1.8 / 1.1 / 0.6 V

-25 ~ 85 °C

366FBGA

Mass Production

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K4U8E3S4AD-CHCL

K4U8E3S4AD-CHCL

LPDDR4X

SAMSUNG/三星

8 Gb

x32

4266 Mbps

1.8 / 1.1 / 0.6 V

-40 ~ 105 °C

200FBGA

Mass Production

四代超低功耗双倍数据率同步动态随机存储器

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K4E8E324EB-EGCG

K4E8E324EB-EGCG

LPDDR3

SAMSUNG/三星

8 Gb

x32

2133 Mbps

1.8 / 1.2 / 1.2 V

-25 ~ 85 °C

178FBGA

批量生产

PDF

三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器

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KLMCG2UCTB-B041T02

KLMCG2UCTB-B041T02

eMMC 5.1

SAMSUNG/三星

64 GB

1.8 / 3.3 V

-25 ~ 85 °C

11.5 x 13 x 0.8 mm

Mass Production

HS400

eMMC 5.1

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